三菱電機は、Nexperiaとパワーエレクトロニクス市場向けSiCパワー半導体の共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意した。三菱電機は化合物半導体技術などを適用したSiC-MOSFETチップをNexperia向けに開発・供給。Nexperiaは、三菱電機のSiCチップを搭載したSiCディスクリート製品を開発するという。

　SiCパワー半導体は、従来のシリコンウエハを用いたパワー半導体に比べて低電力損失で、高温動作や高速スイッチング動作が可能となるため、省エネルギーや脱炭素化によるGX実現への貢献が期待されており、電気自動車分野などで市場の拡大が見込まれるとしている。

　Nexperiaはディスクリート半導体の開発、製造、品質保証において経験があり、自動車、産業用からモバイル、民生用途まで幅広く供給している。今後三菱電機は、Nexperiaとのパートナーシップを強固なものにし、脱炭素社会と持続可能な未来の実現に貢献。また、SiCチップの開発・製造技術を高め、モジュール開発・製造技術を適用したパワーモジュールの開発に注力していくという。